课题组利用锗独特的表面性质,在锗表面生长忆阻器材料,形成一种新的器件,称之为“记忆二极管”。这个新器件将原来需要一个电路才能做到的工艺,用一个器件就能实现其功能,有望使得芯片面积缩小几十分之一。在手机等小型化电子设备中,这样的缩小可以为其他功能的实现“腾出”大量空间。“记忆二极管”的另一个特点是有利于加快数据流通,实现上网速度的大幅加快。赵毅介绍,这种加速或许对例如一个区域内只有一两部手机等上网设备的情况无法显现得那么明显,但在未来物联网时代区域内集中了大量上网连接设备时,其优势就可以得到显现。
据悉,“记忆二极管”在休眠状态中对能量几乎无消耗,而由于较为简单的构造方式,其生产成本也较原先大大降低,市场使用前景广阔。目前,该项研究论文被国际超大规模集成电路峰会收录。