【禁售】台军方:严禁大陆手机进入台军营区；_热点评测_新品新知

1.SK海力士在韩国利川增设封测产线 2019上半年或启用；2.台军方:严禁大陆手机进入台军营区；3.彭博：订单或流向中国大陆台积电面临大挑战；4.前进5纳米台积电最新技术蓝图全览；5.受惠缺货和涨价效益环球晶Q1营收实现九连涨；6.力晶五年还债千亿成功转型代工厂毛利率仅次台积电；

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1.SK 海力士在韩国利川增设封测产线 2019上半年或启用；

集微网消息，据韩媒报道，近期 SK 海力士展开产线调整，欲将利川厂区内的旧 LCD 产线转换为半导体封装及测试用途，同时也会将现有的部分后段制程产线移转至此，并添购机台设备进行扩产。

据悉，SK 海力士增设产线的占地规模约 3000 坪，投资金额约 5000 亿韩元(约 4.6 亿美元)，完工后后段制程产线规模将比原本大 2 倍，启用时间暂订 2019 上半年。

2017 年开始，SK 海力士将 M14 工厂二楼的部分 NAND Flash 产线转换为生产 DRAM，工程还持续进行，未来每月 DRAM 的晶圆投片量可增加 2 万片。若搭配扩增的后段制程产线，届时将有更显著的产能效益。

韩国业界表示，2017 年底 SK 海力士在重庆投资 3000 亿韩元增设后段制程产线，这次在韩国利川增设的封测产线应是针对 DRAM 需求而来。2018 年以来，DRAM 市场持续处于供给短缺状态，这现象恐长期延续，因此让 SK 海力士决定在韩国扩大封测产能。

此外，业界认为 10 纳米级先进制程使每片晶圆可生产的存储器芯片数量增加，带动封测需求量提高，而封装体积缩小的趋势令后段制程重要性提高，这些也都是SK海力士决定加强后段制程能力的因素。

利川厂区是 SK 海力士的主要生产基地，碍于韩国法令以无法取得新腹地，目前该厂区由 SK 海力士与现代 Elevator(Hyundai Elevator)共享土地。这次 SK 海力士用来扩增封装产线的用地是以前现代电子出售 LCD 事业部给京东方时附带出租的土地，最近土地租约到期回收使用权，SK 海力士才得以扩增产线。

2.台军方:严禁大陆手机进入台军营区；

【环球网综合报道】台防务部门负责人严德发7日声称，绝对禁止台军使用中国大陆品牌的智能手机。据台“中时电子报”8日报道，防务部门发言人陈中吉8日也声称，严禁中国大陆手机进入营区，且任何手机进入营区，都会列管并装设MDM软件。

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　　严德发昨天在“立法院”备询时，民进党“立委”蔡适应表示，美国军方目前已禁止官兵使用小米、华为等中国大陆品牌的手机，询问严德发目前台军手机使用方式。对此，严德发称，绝对禁止台军使用中国大陆厂牌的智能手机，在采购方案中也有明文规定，必须注明手机原产地、品牌。

而今天，陈中吉也在记者会上称，严禁中国大陆手机进入营区，且任何手机进入营区前，都会针对机型、手机代码、用途造册列管，核定后才会发出认证标签，并同时加装MDM软体，透过管制措施避免发生泄密情事。

《华尔街日报》2日报道称，美国国防部正采取措施，要求全球美军基地零售商店停止销售华为和中兴通讯生产的手机，称其设备可能造成潜在的安全威胁。而美国商务部上月公布了针对中兴通讯采购美国零部件的禁令，称该公司未履行和解协议条款。中兴通讯则表示，此举有失公平，并将上诉。

另外，根据此前报道，台湾当局上月27日要求联发科停止向中兴通讯出售芯片。该消息在网上引起了热议。有舆论认为，台湾在“中美贸易战”上向大陆“捅刀”。更有人痛斥台当局“美帝狗腿子”，并发出质问讽刺民进党“台湾这么配合，能获得什么好处吗？百姓没有，‘诈骗党’绝对有”。环球网

3.彭博：订单或流向中国大陆台积电面临大挑战；

高灿鸣（Tim Culpan）

台积电董事长张忠谋日前接受英国金融时报专访时说，中、美贸易冲突对芯片业不利，强调「中国大陆组装不少终端产品，因此中美之间的贸易纠纷可能也影响我们」。

张忠谋上述的分析可能是在刻意淡化问题，因为他肯定充分了解台积电更大的风险，不于终端产品制造将受到短期干扰，而是在于台积电的芯片制造订单可能会流向大陆的替代厂商。

目前芯片设计领域几乎由高通、博通及英伟达垄断，台积电则是这些公司的主要供应商。然而，一旦设计厂商有了新的选择，便可能不再只下单给台积电。

中国大陆致力于科技自主，包括学会如何在大陆自有工厂制造最先进的半导体。华尔街日报报导，国家集成电路产业投资基金公司将宣布人民币3,000亿元，再度大举投资芯片产业。

大陆不仅可能在芯片设计领域后来居上，也可能要求美国客户委托大陆晶圆厂生产。目前大陆有20多座晶圆厂正在发展，由不同政府单位提供奖励措施。为因应此势头，台积电已在大陆南京设立晶圆厂。张忠谋说，「（中美贸易纠纷）是一项新挑战，而且是我过去未曾面临的挑战」。

台积电于2000年代初期摆脱联电及IBM等对手，最近又力图甩开三星。但一长串现金满满且饥肠辘辘的大陆竞争者，才是台积电当前的真正挑战，也是张忠谋过去从未遇到过的挑战。（作者Tim Culpan是彭博专栏作家）

4.前进5纳米台积电最新技术蓝图全览；

持续同时朝多面向快速进展的晶圆代工大厂台积电(TSMC)，于美国硅谷举行的年度技术研讨会上宣布其7纳米制程进入量产，并将有一个采用极紫外光微影(EUV)的版本于明年初量产；此物该公司也透露了5纳米节点的首个时间表，以及数种新的封装技术选项。

台积电也继续将低功耗、低泄漏电流制程技术往更主流的22/12纳米节点推进，提供多种特殊制程以及一系列嵌入式存储器选项；在此同时该公司也积极探索未来的电晶体结构与材料。整体看来，这家台湾晶圆代工龙头预计今年可生产1,200万片晶圆，研发与资本支出都有所增加；台积电也将于今年开始在南京的据点生产16纳米FinFET制程芯片。

唯一的坏消息是，台积电的新制程节点是不完全步骤，因此带来的优势也越来越薄；而新的常态是当性能增加，功耗下降幅度通常在10~20%左右，这使得新的封装技术与特殊制程重要性越来越高。

台积电已经开始量产的7纳米制程，预期今年将有50个以上的设计案投片(tap out)，包括CPU、GPU、AI加速器芯片、加密货币采矿ASIC、网路芯片、游戏机芯片、5G芯片以及车用IC。该制程节点与两个世代前的16FF+制程相较，能提供35%的速度提升或节省65%耗电，闸极密度则能提升三倍。

将采用EUV微影的N7+节点，则能将闸极密度再提升20%、功耗再降10%，不过在速度上显然没有提升──而且这些进展需要使用新的标准单元(standard cells)。台积电已经将所谓的N7+节点基础IP进行硅验证，不过数个关键功能区块还得等到今年底或明年初才能准备就绪，包括28-112G serdes、嵌入式FPGA、HBM2与DDR 5介面。

台积电研究发展/设计暨技术平台副总经理侯永清(Cliff Hou)预期，该EUV制程在布局IP方面需要多花10%~20%的力气：“我们开发了一种实用方法以渐进方式来转移IP。”他表示，经过完整认证的N7+节点EDA流程将在8月份完成；在此同时，该节点的256Mbit测试SRAM良率已经与初期版本的7纳米节点相当。

展望未来，台积电预计在2019上半年展开5纳米制程风险试产，锁定手机与高性能运算芯片应用；相较于第一版不采用EUV的7纳米制程，5纳米节点的密度号称可达1.8倍，不过功耗预期只降低20%、速度约增加15%，采用极低阈值电压(Extremely Low Threshold Voltage， ELTV)技术则或许能提升25%；台积电并未提供ELTV技术的细节。

EUV功率水准顺利朝明年初量产发展

“没有EUV，他们就无法提供与过去节点相同的微缩优势；”市场研究机构The Linley Group的分析师Mike Demler表示：“如果你看N7+制程，号称比N7制程再微缩20%，因此EUV还是更接近传统摩尔定律(Moore’s Law)微缩水准所需的，而N7到N5节点的微缩效果只会更糟。”

台积电显然拥有能在明年初以EUV微影进行量产的好运气，该公司拥有的系统在4月份以250W维持生产数周，预期明年可达到300W，这是大量生产所需的功率水准。不过要维持每日平均145W的功率，台积电还需要加把劲；对此该公司研究发展/技术发展资深副总经理米玉杰(Y.J. Mii)表示：“生产量正朝向满足量产所需发展。”

除了透露在功率以及生产量方面的显著进步，米玉杰表示，尽管仍超出三分之一，光阻剂量(resist dosage)的减少幅度也朝着该公司在2019年第一季量产的目标迈进；此外EUV光源的光罩护膜(protective pellicle的穿透率目前达到83%，明年应该可以达到90%。

米玉杰以数个案例为证明，表示EUV持续提供比浸润式步进机更佳的关键尺寸(critical dimensions)均匀度；台积电预期会同时在N7+以及5纳米节点的多个层采用EUV，并积极安装ASML的NXE3400微影设备。

看来台积电的EUV量产计划与三星(Samsung)的量产时程差距在六个月之内，后者表示将于今年导入量产，更多相关讯息可望在本月稍晚三星自家活动上曝光。而台积电与三星的EUV量产时程差距，看来并不足以让Apple或Qualcomm等大客户更换代工伙伴；市场研究机构VLSI Research执行长G. Dan Hutcheson表示，只有几个月的领先在长期看来是微不足道。

仍在萌芽阶段的台积电5纳米节点，则预计在6月份释出0.5版的EDA流程，以及在7月份推出0.5版的设计工具套件；该节点还有许多IP功能区块要到明年才会完成验证，包括PCIe 4.0、DDR 4以及USB 3.1介面。

台积电的目标是在2019年让10/7纳米节点产量增加三倍，达到一年110万片晶圆；该公司的Fab 18已经在台湾的台南科学园区兴建中，预计在2020年开始5纳米制程量产。

多种封装技术选项

台积电已经为GPU与其他处理器打造CoWoS 2.5D封装技术，还有智慧型手机芯片适用的晶圆级扇出式封装InFO，除了继续推广这两种技术，该公司还将添加其他新技术选项。

从明年初开始，CoWoS技术将提供具备倍缩光罩(reticle)两倍尺寸的硅中介层选项，以因应该领域的需求；而具备130微米凸块间距的版本则将在今年通过品质认证。InFO技术则会有四种衍生技术，其中存储器基板应用的InFO-MS，将在1x倍缩光罩的基板上封装SoC与HBM，具备2x2微米的重分布层(redistribution layer)，将在9月通过验证。

InFO-oS则拥有与DRAM更匹配的背向RDL间距，而且已经准备就绪；一种名为MUST的多堆叠选项，将1~2颗芯片放在另一颗比较大的芯片顶部，然后以位于堆叠底部的硅中介层来连结。最后还有一种InFO-AIP就是封装天线(antenna-in-package)技术，号称外观尺寸可缩小10%，天线增益则提高40%，锁定5G基频芯片的前端模组应用等设计。

市场研究机构TechSearch International总裁暨资深封装技术分析师Jan Vardaman表示：“InFO是重要的平台，台积电的以PoP形式整合存储器与基频/数据机的InFO封装令人印象深刻──高度较低、尺寸较小而且性能更佳；基板上InFO技术则会在市场上大受欢迎，因为2微米线宽与间距适合多种应用。”

不只如此，台积电还发表两种全新的封装技术选项。其中在4月底问世的WoW (wafer-on-wafer)封装直接以打线堆叠三颗裸晶，不过使用者还需要确定其EDA流程是否支援这种打线(bonding)技术；该技术还将在6月推出支援EMI的版本。

最后台积电还大略描述了一种被称为“整合芯片系统”(system-on-integrated-chips，SoICs)的技术，采用10纳米以下的互连来连结两颗裸晶，但技术细节还要到明年才会透露；该技术锁定的应用从行动通讯到高性能运算，而且能连结采用不同制程节点生产的裸晶，看来是某种形式的系统级封装(SiP)。

一位分析师在台积电技术研讨会的休息时间表示：“日月光(ASE)一直是封装技术领域的领导者，但现在我得说台积电才是。”台积电的动机很明显，随着CMOS制程微缩的优势渐退，封装技术能有助于性能表现，一部份是透过更快的存储器存取。

在过去几年，拥有三种后段制程生产线的台积电拿到了Apple的大订单，部份是因为InFO与Xilinx还有Nvidia，也有部份是因为CoWoS。而The Linley Groupe的Demler表示，新的封装技术选项“看来是在摩尔定律终结之后具备长期潜力的替代方案，但成本相当昂贵，也仍有许多问题待克服。”

填满主流制程选项

台积电有超过三分之一的营收来自于28纳米以上节点，因此该公司除了提及在特殊制程方面的进展，也有比尖端制程旧一至两个世代的制程节点新进展。

举例来说，台积电正在开发22纳米平面制程与12纳米FinFET制程的超低功耗与超低漏电版本，号称能与Globalfoundries和Samsung的FD-SOI制程分庭抗礼。新版本的22纳米制程采用28纳米设计规则，提供10%的光学微缩(optical shrink)与速度增益，或者能降低20%功耗；该制程与相关IP将于今年底准备就绪，锁定先进MCU、物联网与5G毫米波芯片等应用。

12纳米版本的低功耗/低漏电制程则采用FinFET架构以及更小巧的单元库(cell libraries)，可提供比台积电16FFC 制程高16%的速度，高速Serdes等少数几个IP则要到明年才问世。

存储器方面，40纳米的电阻式RAM已经准备好取代物联网芯片中的快闪存储器，只需要添加两层光罩，并支援10年的储存时间以及1万次读写周期。将于今年问世的22纳米嵌入式MRAM支援高于快闪存储器的速度与更长的储存期限，锁定汽车、手机、高性能运算等设计；该技术到目前为止号称在测试芯片上皆具备高良率。

此外，台积电也提供小型化的微机电系统(MEMS)制程，预期在今年秋天可提供整合10V与650V驱动器的硅基氮化镓(GaN-on-silicon)制程，明年则可完成蜂巢式通讯功率放大器采用的100V D-HEMT制程验证。

台积电也具备车用16FFC制程的经验证EDA流程以及IP，计划今年底可提供7纳米车用制程，将于2019年第二级通过完整认证。

大陆市场与电晶体研发进展

除了宣布其位于南京的晶圆厂比预期提早数个月展开16纳米FinFET制程生产，台积电也透露了长期研发计划，以及在制程自动化方面采用机器学习的进度。

台积电南京厂的第一阶段建筑包括媲美Apple美国新总部但规模没那么大、外观像太空船的员工餐厅以及管状的办公大楼，以及月产量2万片晶圆的厂房；而该厂区若完成所有建设，月产量最高可达到8万片晶圆。

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台积电南京厂外观设计图（来源：EE Times）

在此同时，台积电的研究员在适合2纳米以下制程节点应用的下一代电晶体所需之堆叠纳米线(nanowires)、纳米片(nanosheets)设计上取得了进展，号称能支援比FinFET更佳的静电(electrostatics)特性，而且可以借由调整元件宽度达到功耗与性能的最佳化。

台积电认为锗(germanium)是具备潜力的硅替代材料，因为在相同速度下功耗较低；该公司已经在与CMOS相容之介电质中利用该材料，达到了创纪录的低接触电阻。台积电也正在研究各种2D后段材料，包括具备原子级光滑表面的二硫化钼(molybdenum disulfide)。

此外台积电也在实验新方法来放大铜晶粒(copper grain)，以降低互连中的电阻；并正在研发选择性介电质上介电质(selective dielectric-on-dielectric)沉积制程，以实现铜通孔的(vias)的自动对准(self-aligning)。

在存储器技术方面，22纳米以下节点应用的嵌入式MRAM技术是重点研发项目之一，有可能具备替代性磁结构；在40纳米以下电阻式随机存取存储器(ReRAM)部份，高密度的纵横闩(crossbar)被视为具能源效益的方案，特别是应用于AI加速度芯片。

在制程自动化部份，台积电正采用机器学习技术系统化分析大量晶圆制程资料，并已经针对特定工具与产品调整了制程参数(recipe)；此外该公司也针对制程变异进行追踪与分类，以实现找出工具、制程或材料中问题所在的自动化。

台积电拥有具备超过5万种制程参数与上千万制程管制图(control charts)的资料库，不过该公司将如何把机器学习运用于自动化任务，以及将运用于何种产品线上，目前并不清楚──毫无疑问，仍有某项工作正在进行中，或许其中也有一些不为外人道的秘方。编译：Judith Cheng eettaiwan(参考原文： TSMC’s Roadmap Full, But Thin，by Rick Merritt)

5.受惠缺货和涨价效益环球晶Q1营收实现九连涨；

在缺货、涨价效应带动下，半导体硅晶圆厂环球晶圆（6488）第1季财报亮眼，包括营收、毛利率、营业利益、营业利益率、税后纯益、税后纯益率和每股纯益均创新高，单季每股纯益6.36元（新台币，后同），已经超越去年全年的一半。

环球晶圆昨（8）日召开董事会通过首季财报，首季合并营收139.10亿元，季增11.8%，年增率31.5%，再创新高，营收连九季成长。

受惠于缺货和涨价效益，环球晶圆第1季毛利率一口气拉高到36.2%，季增5.8个百分点，且比去年同期大增16.2个百分点，连续两季毛利率站上三成，改写新高。

由于营收和毛利率显著提升，环球晶首季营业利益39.23亿元，营业利益率28.2%，季增近8个百分点，再创新高，也比去年同期显著提高18.1个百分点。

在营收、毛利率、营业利益率同步拉升的情况下，环晶圆第1季归属于母公司的税后纯益达27.79亿元，年增率近七倍，季成长四成，每股税后纯益6.36元。

相较于环球晶圆去年全年每股税后纯益12.68元，今年首季每股纯益已是去年的一半以上，表现亮眼。法人普遍预估，该公司今年将可赚回一到两个股本。经济日报

6.力晶五年还债千亿成功转型代工厂毛利率仅次台积电；

力晶走过转型低潮期，从动态随机存取存储器（DRAM）厂成功转型为晶圆代工厂，不但营运浴火重生，五年内还清千亿元债务（新台币），也让创办人黄崇仁搏得最会还钱之名。

2008年一场金融海啸，一度让多家存储器厂陷入危机，力晶也是其中之一。当时，力晶曾向银行申请纾困466亿元（新台币，后同），总负债一度高达755亿元，负债比率达到八成。

2012年12月，力晶在股市上的净值转为负数，负债高达1,100亿元，被迫下柜，黄崇仁也因此黯然交出董事长职务。当日，力晶的收盘价只剩下0.29元，可以说是股东们最痛苦的一天。

下柜后的力晶全力转型，毅然决然从老本行DRAM转型为晶圆代工厂，五年过去，顺利缴出亮眼的成绩单。