RRAM作为一种新型电脑存储器,是基于一种新的半导体材料,依赖于温度和电压来存储数据。RRAM及其制造的半导体允许芯片堆叠在彼此之上,使得存储器和逻辑组件以不能复制的方式靠近在一起。这些3D“高层”芯片可以解决大数据处理延迟,同时延长未来移动设备的电池寿命,提供更快,更高能效的解决方案。
不过,目前RRAM材料需要多少温度才会导致开关目前还是未知因素。由于没有办法测量由电力产生的热量,研究人员使用微热级的热板状装置加热RRAM芯片。Rambus通过监测电子何时开始流过RRAM材料,团队能够测量材料形成导电通路所需的温度,并惊喜地发现其最佳工作温度范围在80°F和260°F(26.7和126.7℃)之间,远低于此前估计的1160°F(626.7℃)。未来的RRAM器件将需要更少的电力来产生这些温度,使得它们更节能。 Rambus公司创立于1990年,公司创建之初便致力于高端存储产品的研究与开发。由于其在内存技术上的先进性,很快成为了Intel下一代高性能处理器的主存平台。
过去二十年,在PC时代Rambus凭借其DDR、SDRAM技术在芯片行业占据垄断地位,通过投入研发,积累2500项专利。此前还通过与不少电脑内存片制造巨头在法院打官司,大都陆续达成授权和解。该公司在2015年开始重组,并将业务扩展至芯片设计以外领域,授权公司出售自己品牌及由供应商生产的授权芯片,包括美光、AMD等。
兆易创新主要业务为闪存芯片及其衍生产品、微控制器产品的研发、技术支持和销售,其产品广泛应用于手持移动终端、消费类电子产品、物联网终端、个人电脑及周边,以及通信设备、医疗设备、办公设备、汽车电子及工业控制设备等领域。
目前兆易创新已经成为国内的NORFlash领头羊,并在存储方面有很大投入。随着Rambus和兆易创新合作建立一个在中国的合资企业,将会推进RRAM方面的研发投入并推向市场商用,此前没有RRAM技术的兆易创新也将随之受益。根据中国半导体行业协会数据,2012年以来,兆易创新为中国大陆地区最大的代码型闪存芯片本土设计企业,也是最大的串行NORFlash设计企业。据TrendForce数据统计,按营业收入计算,2016年全球NorFlash市场公司排名第五位,市场占有率7%。 (校对/小秋)