力旺电子将于TSMC 7nm制程推出安全防护功能更强的内存IP

力旺电子嵌入式非挥发性内存硅智财NeoFuse已在台积的16nm FF+/FFC、 12nm和7nm制程完成验证，其中16nm FF+/FFC制程IP已通过可靠性认证，而且已获采用于数字电视和机顶盒等需要内容保护的芯片设计。

在全球资安事件频传之际，芯片设计和制造阶段就纳入安全防护的需求愈来愈迫切，力旺为台积7nm平台开发的安全强化版NeoFuse硅智财预定于第二季完成设计定案，可提供高阶制程芯片最深层的保护。

这项安全强化版IP同时结合NeoFuse内存和力旺的芯片指纹NeoPUF，除了能安全储存数据外，还能提供深植于芯片内部的芯片ID及可用于加密应用的随机数源(entropy source)，不仅能防止数据遭骇， 也能防范芯片被仿冒。

力旺的NeoPUF安全技术源自硅晶圆的物理不可复制特性(physical unclonable functions)，在芯片设计及制造阶段就提供最根本的硬件保护，相当适合人工智能、物联网及车联网等高安全需求芯片。

力旺已和台积合作开发好几代制程技术的硅智财，其IP解决方案至今已在台积65个制程平台完成设计定案，应用层面相当广泛，包括面板驱动IC、电源管理IC、控制IC、物联网相关IC、传感器及车用IC等。

台积公司设计建构营销处资深处长Suk Lee表示，力旺电子和台积长久以来都密切合作，携手驱动科技创新并且促成先进系统芯片设计的实现，未来我们也期望与力旺一起不断追求创新。

力旺电子业务发展副总经理何明洲表示，台积的制程技术不断与时俱进，而力旺也亦步亦趋开发高阶制程硅智财，期能让客户持续获得他们需要的IP，实现其设计并加快产品开发上市的时间。

力旺在台积7nm平台开发的NeoFuse方案包含4K*32 bit的可一次编写内存(OTP)，操作温度符合AECQ100 Grade 0标准 (-40 to 150°C)。 NeoPUF则包含多达4K bit的随机数源，而且在不需要使用辅助数据运算(helper data)的情况下就能达到零错误率。

NeoFuse目前已在台积22nm ULP平台完成设计定案，安全强化版预定于2018年6月在22nm ULL平台完成设计定案。