太赫兹集成器件：高品质谐振腔及其在太赫兹芯片中的应用_热点评测_新品新知

太赫兹集成器件：高品质谐振腔及其在太赫兹芯片中的应用

2018-04-09 16:08 上海市现代光学系统重点实验室

字号：

近日，上海市现代光学系统重点实验室青年教师谢静雅在国际光学期刊《Optical Materials Express》上发表了题为《太赫兹集成器件：高品质硅谐振腔》（“Terahertz integrated device: high-Q silicon dielectric resonators”[Vol. 8, Issue 1, pp. 50-58 (2018)]）的研究成果。该文章发表后被期刊主编选为编辑精选，并成为美国光学学会下载量前十的文章。

高品质因子的谐振腔是太赫兹通信、成像、分子检测等应用中的关键器件，吸引了大批研究人员的关注。近几年来，基于平板波导、超表面等方法的谐振腔被相继报道。此次研究工作中，课题组成员谢静雅老师设计并实现了基于硅光技术的太赫兹集成谐振腔，严格控制谐振腔损耗因子，最终实验测得的品质因子高达2839，工作频率约为0.2 THz。该工作为课题组后续的太赫兹生物医学检测提供了较好的器件基础。

太赫兹集成器件：高品质谐振腔及其在太赫兹芯片中的应用0