半导体所等在拓扑激子绝缘体相研究中取得进展

InAs/GaSb半导体量子阱系统是重要的红外探测器体系，其能带结构独特，本征情况下会自发形成空间分离的二维电子气和空穴气。由于其电子、空穴的空间分离，激子寿命变长，为研究激子绝缘体提供了良好的平台。在InAs/GaSb半导体量子阱中，通过调节InAs和GaSb层厚，可使GaSb层的价带顶高于InAs层的导带底，体系中可以自发地形成局域于InAs层的电子气和局域于GaSb层的空穴气，两者在实空间分离。美国斯坦福大学张首晟研究组的理论工作证明，InAs/GaSb量子阱的基态是二维量子自旋霍尔绝缘体；美国莱斯大学/北京大学杜瑞瑞实验组在该系统中观察到拓扑边缘态的输运，并发现边缘态输运即使在强磁场下仍能保持。

如果考虑电子-空穴间的库仑作用，即当激子束缚能大于体系的杂化能隙时，理论上猜想该体系基态形成如Mott预言的激子绝缘体相甚至拓扑激子绝缘相。美国莱斯大学/北京大学杜瑞瑞实验组、美国莱斯大学大学Kono实验组和中国科学院半导体研究所常凯理论组，从实验和理论两方面研究InAs/GaSb量子阱中的激子绝缘相。研究员常凯、副研究员娄文凯构造了平行磁场下激子的多带量子多体理论模型，研究激子绝缘相的基态及其独特的色散，发现激子的基态是处于有限动量处的暗激子。在低温且低电子-空穴对密度情形下，体系打开类似BCS超导体中的能隙。通过研究激子的色散关系，提出利用太赫兹透射谱来验证激子绝缘体的存在，指出太赫兹透射谱表现为两个吸收峰，理论计算预言的吸收峰位与实验一致，为激子绝缘相光学观测提供了理论依据。

相关研究成果发表在Nature Communications上。

(a)InAs/GaSb量子阱能谱图；(b)实验装置示意图；(c)激子绝缘体色散关系；(d)激子绝缘体联合态密度；(e)THz吸收谱；(f)-(h) THz吸收谱：固定磁场不同温度(f),固定温度不同磁场(f,h)；(i)带隙与温度关系；(j)测量纵向电导与门电压之间关系；(k)不同磁场强度下InAs/GaSb能谱结构。