MRAM微控制器瞄准嵌入式IoT市场

法国格勒诺布尔的一家半导体IP新创公司发布了基于磁阻RAM (MRAM)的微控制器(MCU)，瞄准以电池供电的物联网(IoT)和穿戴式装置市场。

这家名为eVaderis的新创公司提供与CMOS兼容的非挥发性存储器IP产品，例如存储器区块、逻辑单元以及存储器和处理器子系统。该公司表示，已经在Beyond Semiconductor BA2x产品线中展示一款超低功耗MCU的全功能设计平台，包括软体、系统和存储器IP。

eVaderis副总裁兼技术与行销部门负责人Virgile Javerliac在接受《EE Times》采访时表示，这次出样展现eVaderis“在低功耗数位装置上的非挥发性嵌入式IP设计和流程的效益”。他强调：“我们不是在开发MRAM技术本身，而是在开发基于MRAM技术的架构。”

当MRAM生态系统中的其他人提供“基于MRAM的客制或类比巨集”时，JaVaLiIs表示，eVaderis采取了“一种提供IP和MRAM编译器的数位方法”。该新创公司与GlobalFoundries建立了IP合作伙伴关系，计划为半导体制造商授权用于生产40奈米(nm)以下芯片的基础IP。

Beyond Semiconductor执行长Matjaz Breskvar指出，该展示的目标是功耗，这对任何以电池供电的装置来说仍是一个关键的挑战。“自eVaderis公司成立以来，我们一直与他们合作，以前所未有的节能效率，共同实现永不关机的以电池供电装置。”

该公司表示，MCU采用了研发机构IMEC的垂直自旋转矩MRAM技术，实现了高速读/写和低电压的非挥发性操作。该元件采用GlobalFoundries的40nm低功耗CMOS制程制造。

该架构提供3Mbits的芯片存储器，完全分布在系统中，用于工作存储器、配置、状态保持、程式码执行和资料储存等功能。根据eVaderis，该新创公司的存储器IP架构支编译器友善介面，有助于芯片制造商缩短上市时间。

由于MRAM使用磁性电荷来储存资料，所以当电源关闭时，它仍将保留资料，而且只需要少量的电力即可储存资料位元。相形之下，SRAM和DRAM使用电荷来储存资料。由于MRAM使用磁场而不是电路来写入和储存资料，因此所需的功率也比其他存储器储存系统更低。

因此，eVaderis表示，其嵌入式MRAM技术能让MCU在系统级和软体级实现功耗、性能和功能增益，支援节能、非挥发性检查点设置，以及具有近零延迟的常开/瞬时启动作业等功能。

来自意法半导体(STMicroelectronics)和法国替代能源和原子能委员会CEA的工程师于2014年联手成立了eVaderis。去年加入GlobalFoundries FDXcelerator合作伙伴计划，提供与GlobalFoundries的22FDX技术兼容的可扩展、先进存储器IP。

编译：Mike Zhang

(参考原文：Startup tapes out MRAM-based MCU demo for IoT，by Nitin Dahad, European correspondent, EE Times)