分析师自制英特尔10纳米技术攻略

最近有位半导体产业分析师针对英特尔将在下两个工艺世代使用的技术，提出了大胆且详细的预测；如果他的预言成真，意味着芯片龙头英特尔又将大幅超前其他半导体同业。

这位分析师DavidKanter在他自己的网站发表一篇分析文章，指出英特尔将会在10纳米节点采用量子阱FET；这种新的晶体管架构将会采用两种新材料──以砷化铟镓制作n型晶体管，以应变锗制作p型晶体管。

英特尔曾在2009年的IEDM会议论文透露其正在开发的InGaAs制程技术

若预测正确，英特尔最快在2016年可开始生产10纳米工艺晶体管，且功耗能比其他工艺技术低200毫伏；Kanter预期，其他半导体制造业者在7纳米节点之前难以追上英特尔的技术，差距约是两年。Kanter指出，英特尔可能还要花一年多的时间才会公布其10纳米工艺计划，而他自认其预测有90%的准确度。

英特尔曾在2009年的IEDM会议论文透露其正在开发的InGaAs工艺技术

Kanter的分析文章是根据对英特尔在年度IEEE国际电子组件会议发表的数十篇篇论文研究所得，此外还有英特尔与芯片制造相关的专利；他在接受EETimes美国版访问时表示：“我所看到的一切都朝这个方向发展；问题应该不在于英特尔会不会制作量子阱FET，而是他们会在10纳米或7纳米节点开始进行。”

“在晶体管通道采用复合半导体材料并非只有英特尔一家在研究，但显然到目前为止没有人做到像英特尔所发表的这么多；”Kanter指出：“英特尔在锗材料方面的论文与专利很少，但该技术较广为人知。”此外他预期英特尔会采用纯锗，不过也可能会透过先采用硅锗来达到该目标。

Kanter并表示他在发表分析文章之前，曾提供内容给英特尔看；不过该公司婉拒发表任何相关评论。