三五年内手机存储卡可做到1000个G_存储_芯片设计

三五年内手机存储卡可做到1000个G

只要三五年时间，手机的存储容量就可以达到1000个G，轻松携带一个图书馆不再是梦想。近日，在有机电子与信息显示国家重点实验室培育基地、南京工业大学等联办的“光电子学、材料与能源国际研讨会”上，专家透露了这一令人期待的消息。

　　研讨会上，来自美、英、德、意、新加坡等国家的顶级专家学者，包括美国纳米科技领军人物、奥巴马总统科技顾问Chad A Mirkin教授，著名有机光电子学领军科学家、美国艺术与科学院院士Fred Wudl 教授等，与中国科学院、国家纳米科学中心、北京大学、香港理工大学等高校科研机构的专家学者，一起交流研讨了光电子学、材料与能源等前沿学科最新研究、应用成果及面临的挑战。

三五年内手机存储卡可做到1000个G

据本次大会主席、中科院院士、南京工业大学校长黄维介绍，20世纪是高耗能高污染的硅材料世纪，21世纪则是低能耗低污染的碳材料世纪，而基于碳材料的有机光电子学，将给我们的生活带来很大改变。

黄维举例，伴随着有机光电子学的应用研究，电子纸、可弯曲的电视屏幕等将不再是梦想，未来的手机也将设计成“手表”，具有强大的数据存储等功能，人们可以轻松携带一座超大容量的图书馆，国家图书馆、大英博物馆都可以贮存在手机里。 “关键在于手机信息贮存能力的扩大，现在手机里的存储卡最大不过几十个GB。通过有机光电子学的应用研究，三五年内就能做到1000个G。”黄维解释。　　

目前，世界最大容量的microSD手机存储卡容量为128GB，来自闪迪SanDisk，而十年前只有128MB。