化合物半导体在光纤模拟芯片应用渐增

市场研究机构StrategyAnalytics针对光纤模拟芯片市场发表最新报告指出，化合物半导体正越来越多地被应用在更高价值、更高成长性的细分产品市场上。在不断成长的光纤模拟芯片市场，硅(Silicon)、硅锗(SiGe)、砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)技术各有所长，将争夺化合物半导体市场占有率。

该报告提供了包括跨阻抗放大器(TIAs-transimpedanceamplifiers)、雷射驱动器(laserdrivers)和后置/限幅放大器(post/limitingamplifiers)的成长预测。

速度小于2.5Gbps的旧版网络目前仍主导市场占有率，但是在预测期内将成长缓慢。StrategyAnalytics指出，受到市场对频宽需求不断成长的驱动，10Gbps网络将成为产业的事实标准，在2011~2013年间，其年复合成长率将达到20%。随着市场不断推进向更高网速的发展，40Gbps网络也会出现强势成长。

StrategyAnalytics的GaAs和化合物半导体技术市场研究部主管AsifAnwar认为：「相较其它大多数通讯市场，光纤市场抗风险的能力更强。这是因为市场对更多、更快的频宽需求似乎总不满足，而铺设光纤的资本支出也早已完整。预期基于砷化镓和磷化铟的雷射驱动器和TIAs，是推出更高速的10Gbps、40Gbps乃至100Gbps网络的关键支持技术。

光纤模拟芯片市场需求将受益于消费者和企业用户对“高频宽应用”需求的不断成长，这些应用包括：

˙基于IP(InternetProtocol)的语音、视讯和数据应用；

˙高频宽视讯服务，如高画质电视(HDTV)和随选视讯(VOD)；

˙企业储存网络；

˙高成长的3G和4G无线标准的更高频宽回程。