第六代162层3D闪存技术问世

Kioxia（铠侠）和西部数据今天宣布，双方合作开发了第六代162层3D闪存技术。这是两家企业建立20年合作关系的又一里程碑，也是两家公司迄今密度最高、最先进的3D NAND技术。

Kioxia首席技术官Masaki Momodomi表示：

“通过我们长达20年可靠的合作关系，Kioxia和西部数据成功地在制造和研发方面创造了无与伦比的能力。总的来说，我们生产世界上30％以上的闪存，并提供了令人信服的价格以及出色的容量，性能和可靠性。我们每个人都在个人电子产品到数据中心的一些列以数据为中心应用中，以及由5G网络、人工智能和自主系统促成的新兴应用中提供这一价值主张。”

这款第六代3D闪存采用了超越传统的先进架构，与第五代技术相比，横向单元阵列密度提高了10%。这种横向扩展的进步，结合162层堆叠式垂直存储器，与112层堆叠技术相比，可将芯片尺寸缩小40%，从而优化了成本。Kioxia和西部数据的团队还采用了阵列CMOS电路布局和四路同时操作，与上一代产品相比，这两种技术的应用使性能提高了近2.4倍，读取延迟上提高了10％。I/O性能也提高了66％，从而使下一代接口能够支持更快的传输速率，满足不断增长的性能需求。

总体而言，与上一代产品相比，新的3D NAND降低了每单位的成本，并使每个晶圆的存储数量增加了70％。Kioxia和西部数据继续推动创新，以确保不断扩大规模，满足客户及其多样化应用的需求。