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高通新旗舰芯片骁龙8150确认7nm:支持5G 第四季度量产

据中国台湾地区媒体报道,高通新款旗舰手机芯片已经完成设计定案(tape-out),确定将采用台积电7nm工艺制程。供应链消息称,该芯片已经在第四季度量产。

据此前消息,多方爆料佐证,高通下一代旗舰芯片,骁龙845的继任者将被命名为骁龙8150。

其最大的特色是整合NPU神经网络运算单元,且支持5G网络。芯片运算效能有望较前一代提升不少,功耗亦可明显降低。

预计,包括三星、OV、小米等厂商均将采用,最快明年第一季度终端手机有望上市。

此前,爆料达人Roland Quandt在社交网络给出了骁龙8150的新料。他表示,骁龙8150将采用采用麒麟980类似的三簇CPU核心集群设计,即两个超大核心、两个大核心以及两个小核心的架构设计。

此外,高通推出的快充规格Quick Charge目前最新版为QC 4+,但随着新款手机芯片推出,将可望推出新规格。

供应链指出,高通预计将于明年推出QC 5最新快充规格,将可望将最高输出功率从原先的27W提升至32W,并在充电设计上从2条电路该改为3条电路输出,让充电效率提升,同时不让温度明显增加。

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责任编辑:文仁露