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600V超接面功率模块简化马达驱动电路设计

600V超接面MOSFET可大幅提升设备效能,采用分别的发射极开路输出设计,并可简化PCB板单路或三路Shunt电流监视走线。

意法半导体(STMicroelectronics,ST)新推出的SLLIMM-nano智能功率模块(Intelligent Power Module,IPM)导入新封装类型,并整合更多组件, 加快300W以下低功率马达驱动器研发,简化组装过程。

3A和5A模块内建最先进的600V超接面MOSFET,最大限度的提升空气压缩机、风扇、泵等设备的效能。 各种直列针脚或Z形针脚封装有助于优化空间使用率,并确保所需的针脚间距。 内部开孔结构可使用安装容易且平价的散热器。 此外,分别的发射极开路输出设计可简化PCB板单路或三路Shunt (分流电阻)电流监视走线。

每个IPM模块都包含由六颗MOSFET组成的三相半桥和一个高压闸极驱动芯片。 新功能有助于简化保护电路和防错电路设计,包括一个用于检测电流之未使用的运算放大器、用于高速错误保护电路的比较器,以及用于监视温度之可选NTC (负温度系数)热敏电阻,亦整合一个升压二极管,以降低物料列表(BOM)的成本, 简化电路板之设计。 智能关断电路可保护功率开关组件,欠低压锁附保护(UVLO)预防低Vcc或Vboot电压所引起的功能失效。

此超接面MOSFET有很低的导通电阻, 在25℃时仅为1.0Ω或最大则为1.6Ω,低电容和低闸极电荷可最大限度降低导通损耗和切换损耗,进而提升20kHz以下硬切换电路之效能,包括各种工业马达驱动器,让低功率应用不需使用散热器。 此外,优化的开关di/dt和dV/dt上升速率确保低EMI干扰,可以进一步简化电路的设计。

新模块的最高额定接面温为150℃,并已取得UL 1557认证,电压绝缘级别高达1500Vrms/min。 意法半导体的SLLIMM-nano模块即日起量产。

    

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