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OptiMOS™线性场效应晶体管兼具低RDS(on)值与大安全工作区

2017年7月31日,德国慕尼黑讯—英飞凌科技股份公司(FSE:IFX / OTCQX: IFNNY)推出OptiMOS™线性场效应晶体管系列。这个全新产品系列兼具沟槽型功率场效应管的低导通电阻(RDS(on))与平面MOSFET的大安全工作区。这就解决了RDS(on)与线性模式功能之间的平衡问题。OptiMOS线性场效应晶体管可在增强模式MOSFET的饱和区工作。OptiMOS线性场效应晶体管最适合电信和电池管理系统(BMS)中常见的热插拔、电子熔断器和保护应用。

耐用的线性模式操作和更高的脉冲电流都有助于实现较低传导损耗、更快启动和更短的停机时间。通过限制较高的励磁涌流,OptiMOS线性场效应晶体管可在发生短路的情况下防止负载损坏。

供货

OptiMOS线性场效应晶体管现可供货,有三个电压等级:100 V、150 V和200 V。它们可采用D2PAK或D2PAK 7pin封装。这些行业标准封装兼容简易替换元件。如需了解详情,敬请访问:www.infineon.com/optimos-linearfet。

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责任编辑:常慧思