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全面逆袭!国产自主3D NAND闪存大跃进

按照我国半导体产业发展规划看,存储芯片是最优先的,而紫光占据了这股发展力量的主力,去年7月,他们参与了长江存储科技有限责任公司的投资,这是个总投资1600亿元的国家存储器项目,主攻3D NAND(2018年将启动第二期建设,规划是上DRAM内存芯片,2019年启动第三期建设,主要目标是代工服务)。

现在,第一财经给出的报道称,长江存储CEO杨士宁透露,他们与与微电子所三维存储器研发中心联合开发的32层3D NAND芯片,已经顺利通过电学特性等各项指标测试,达到预期要求。

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对于这样的成绩杨士宁强调,一直以来我国在存储器芯片领域长期面临市场需求大而自主知识产权和关键技术缺乏的困境,现在长江存储成功实现了工艺器件和电路设计的整套技术验证,向产业化道路迈出具有标志性意义的关键一步。

据悉,长江存储对三维存储结构进行建模,采用根据层数可调制的编程、读取电压配置,补偿了器件特性随阵列物理结构的分布差异,降低了单元串扰影响,保证了芯片达到产品级的功能和性能指标。

之前台湾电子时报曾给出消息称,长江存储最快2017年底正式推出3D NAND闪存,32层堆栈结构,也就是说我们今年有可能看到真正国产的闪存芯片了。

从自身实力来看,国产3D NAND闪存32层堆栈的起点已经相当可以了,三星、Hynix、东芝、美光等公司第一代3D闪存也不过是24层堆栈,不过现在看32层堆栈的还算是主流,但想想身后的48层、64层堆栈的3D闪存,所以加快技术储备推进研发才是最应该坚持不懈的。

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