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7nm将成台积电力压英特尔主战场

[导读]ARM与台积电共同宣布一项为期多年的协议,针对7奈米FinFET制程技术进行合作,包括支援未来低功耗、高效能运算系统单晶片(SoC)的设计解决方案。 这项协议延续先前采用ARM Artisan 基础实体IP之16奈米与10奈米FinFET的

ARM与台积电共同宣布一项为期多年的协议,针对7奈米FinFET制程技术进行合作,包括支援未来低功耗、高效能运算系统单晶片(SoC)的设计解决方案。 这项协议延续先前采用ARM Artisan 基础实体IP之16奈米与10奈米FinFET的合作。

事实上,以台积电目前先进制程之生产时程来看,属于同一世代的10奈米、7奈米进度已经追上,甚至超越竞争对手英特尔(Intel)。

台积电先进制程10奈米、7奈米、5奈米等部分,所有制程皆on schedule10奈米制程2016第1季完成产品认证,而10奈米/7奈米应用非常广泛,如手机、高阶networking、Gaming、wearable等,具有快速的传输效率及低耗电量,而7奈米预计2018年第1季开始量产。

据了解,英特尔估计在2018年确定10奈米量产,7奈米估计要到2019年,而三星电子(Samsung Electronics)目前10奈米进度较不确定,台积电在10/7奈米世代已经展现雄心,并且展开多方客户布局。

部分相关下游业者表示,未必会使用10奈米产品,如20奈米为16奈米制程之过渡期产品,反而7奈米才是下一世代锁定的主力目标,而此次台积电与ARM的长期合约订立,也确立7奈米未来将成为国际大厂的主战场。

据台积电于先前公开法人说明会之说法,7奈米制程可在2018年第1季提供,而依照台积电之计划,5奈米将会在7奈米制程的2年后推出,约在2020年上半可见端倪。

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责任编辑:刘世隆