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武汉新芯宣布嵌入式闪存工艺进展顺利

中国武汉2015年1月26日 /美通社/ -- 2015年1月26日,武汉新芯集成电路制造有限公司(XMC),今日宣布其第一个基于 SST 应用方案的55nm嵌入式闪存工艺验证模块上已经取得成功,其高压和存储单元电性测试结果与设计目标值完全吻合,16M存储阵列良率符合预期。这是武汉新芯低功耗嵌入式闪存技术研发的一个重要里程碑。

武汉新芯于2014年正式开始与 SST 合作开发高可靠性的嵌入式闪存技术。在双方工程师的共同努力下,仅用不到一年时间就完成了技术导入、工艺设计和器件研发制造。目前,器件的高压(HV)和单元(Cell)电性参数完全符合预期,整体电路结构兼具高可靠性和低成本,能完全满足智能卡和物联网产品的需求。紧接着,武汉新芯将与合作伙伴试产智能卡产品,以验证终端产品功能和性能,并以此进一步优化工艺、提升良率,实现量产。

“在55nm嵌入式闪存工艺上取得的进展意味着武汉新芯正稳步推进自己55nm低功耗物联网平台的建设。”武汉新芯市场部副总裁黄建冬博士说道,“我们将继续拓展现有的制造能力,持续完善工艺平台,为客户带来更多定制化的技术与代工服务。”

关于武汉新芯集成电路制造有限公司 XMC

武汉新芯集成电路制造有限公司是一家迅速发展的集成电路制造商,拥有独特的合作伙伴模式,专注于先进的专业技术。武汉新芯公司依托可靠的技术能力,致力于为客户提供卓越的300mm晶圆的代工服务。武汉新芯公司总部位于中国武汉,2008年开始量产。

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责任编辑:穆磊