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中国成功研制6英寸碳化硅晶片 已实现产业化

元器件交易网讯 日前,中国科学院物理研究所研究员陈小龙研究组与北京天科合达蓝光半导体有限公司(以下简称天科合达)合作,解决了6英寸扩径技术和晶片加工技术,成功研制出了6英寸碳化硅单晶衬底。

而从2英寸到现在的6英寸碳化硅单晶衬底,陈小龙团队花了10多年的时间,并在国内率先实现了碳化硅单晶衬底自主研发和产业化。

碳化硅作为第三代半导体材料,可用于制作新一代高效节能的电力电子器件,并广泛应用于国民经济的各个领域,如空调、光伏发电、风力发电、超高压输变电等。

与使用传统硅器件相比,使用碳化硅半导体电力电子器件可以大大减少电力系统的能量损耗,提高电力使用效率,降低电力系统的尺寸,同时可提高系统运行的可靠性并降低系统整机造价。

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责任编辑:常慧思