我自主研发轨道交通用高压IGBT芯片技术达国际先进水平

中国南车旗下株洲南车时代电气股份有限公司“轨道交通用3300伏等级绝缘栅双极型晶体管（IGBT）芯片研制及应用”项目，12月21日在长沙通过由湖南省科技厅组织的专家组鉴定。鉴定认为，该成果代表了轨道交通用该电压等级IGBT器件技术最高水平，填补了国内在该领域的空白。这也是我国企业研制并成功批量装车应用的首款具完全自主知识产权的IGBT芯片。

IGBT被誉为功率变流产品的“CPU”，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式器件，具有半导体动、控制简单、开关易驱高、导通电压低、通态电流大、损耗小等特点。IGBT系统技术中最关键则是功率频率器件的芯片技术。

中国南车在株洲投入近15亿元，建设了国内首条8英寸生产基地，可年产12万片8英寸IGBT芯片和100万只IGBT模块IGBT芯片。公司副总经理刘可安介绍，明年年底正式投产后，可提高现有产量逾7倍。2008年，中国南车收购英国丹尼克斯半导体公司，掌握了成熟的IGBT设计、制造和检测技术，随后在英国成立功率半导体海外研发中心，专注IGBT芯片、碳化硅等高端技术研发与应用。公司现已掌握了电压等级从1200伏到6500伏不等的5种IGBT芯片及模块封装、测试、应用技术，并成功实现国内城市轨道车辆、大功率交流传动电力机车装车，安全运行50余万公里。

作为城市轨道交通牵引主流器件，轨道交通用3000伏电压等级IGBT芯片应用前景广泛。中国工程院院士刘友梅等认为，项目成果增加了芯片电流容量，提高了器件抗闩锁能力和短路能力，降低了导通压降，减少了制造成本，技术创新性强，达国际先进水平，实现了具自主知识产权3300V等级IGBT芯片的突破。