在确认将会在明年扩展芯片制造设备规模之后，三星公司又发布了该公司第一款14nmFinFET（鳍式场效晶体管）测试芯片。
这款芯片采用了全新的设计（同英特尔IvyBridge硬件设备上的Tri-Gate设计也不同）。同原有的设计相比，新的设计方案不但能更节能，而且可带来较大的性能提升。电流泄露情况也将有显著改善。
三星完成首款14nm FinFET芯片测试
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责任编辑：韩倩
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