继扩建美国德州奥斯丁晶片生产线的计划获得批准以后，三星又迎来了一个和芯片生产有关的好消息，他们于日前正式宣布已经成功试产首款采用 14nm 制程的 FinFET 芯片。
三星成功试产14nm FinFET芯片
据悉和现有产品相比该款14nm 制程的 FinFET芯片的设计，可以大大改善电力和性能表现，同时其还能将漏电率控制在较低的水平，有人把这种设计和英特尔 Ivy Bridge 芯片上使用的「Tri-Gate」晶体管技术相比。
三星表示这款晶片是与 ARM、Cadence、Mentor 以及 Synopsis 共同合作的成果。
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