三星电子在14nm FinFET工艺有所突破

导读：GlobalFoundries、Intel都在纷纷宣传各自的14nm新工艺，三星电子也宣布，已经在14nm FinFET工艺开发之路上取得又一个里程碑式的突破，与其设计、IP合作伙伴成功流片了多个开发载具。

GlobalFoundries、Intel都在纷纷宣传各自的14nm新工艺，三星电子也宣布，已经在14nm FinFET工艺开发之路上取得又一个里程碑式的突破，与其设计、IP合作伙伴成功流片了多个开发载具。

三星就是在这里(德州奥斯汀)为苹果制造A系列处理器的

与此同时，三星还与ARM签订了14nm工艺物理IP、库的协议，延续了三星在ARM SoC制造技术上的强势。

做为14nm FinFET工艺开发的一部分，三星联合ARM、Cadence、Mentor、Synopsys等生态伙伴，完成了多种测试芯片的流片工作，包括完整的ARM Cortex-A7处理器、可在接近阈值电压下工作的SRAM芯片、模拟IP阵列等等。

在之前，Cadence还与ARM、IBM合作，流片了14nm FinFET工艺的ARM Cortex-M0处理器试验芯片。

14nm Cortex-A7处理器的成功流片是三星14nm工艺的最关键突破，也是无工厂企业的新希望。A7、A15是天生一对，在ARM big.LITTLE策略中分别负责低功耗、高性能，而此番在FinFET晶体管上部署成功，也验证了ARM新平台的未来可行性。下一步就应该是尝试流片Cortex-A15了。

三星表示，对比目前的32/28nm HKMG工艺，14nm FinFET工艺会进一步大大改善SoC芯片的漏电率和动态功耗。

三星的14nm FinFET工艺设计套件已经提供给客户，相关产品设计也可以立即开始了，但三星并未披露会何时投入量产。

或许三星的这一切都将与苹果无关了。在坚决的去三星化之路上，苹果极有可能会选中台积电，后者也为了拉拢苹果开建新的工厂，用于投产16nm工艺。