元器件交易网关于MRF8S9200NR3相关中文资料详解_技术资料

元器件交易网关于MRF8S9200NR3相关中文资料详解

2012-09-12 00:00 元器件交易网我要评论0

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　　一般概述

　　沟道增强模式————横向场效应晶体管用于码分多址基站应用的频率从920到960兆赫。可用于类和类的所有典型的蜂窝基站站调制格式MRF8S9200NR3(购买请点击)。

　　•典型的单载波瓦特————码分多址性能：内径= 28伏特，idq =1400毫安，58瓦噘嘴=平均智商，大小裁剪，通道带宽= 3.84兆赫，输入信号杆= 7.5分贝@ 0.01%概率基于互补累积分布函数。

　　•能够处理10 : 1驻波，@ 32伏，940兆赫，300瓦连续波输出功率(3分贝输入额定噘嘴)，设计增强的耐用性

　　•典型噘嘴@ 1分贝压缩点≃200瓦连续波MRF8S9200NR3(购买请点击)

　　特点

　　•面值100%测试，保证输出功率能力具有相当大•系列——信号阻抗参数和共同源——参数

　　•内部匹配方便使用MRF8S9200NR3(购买请点击)

　　•综合保护

　　•负栅极电压范围更大——改进类操作的225种•°丙塑料包装MRF8S9200NR3(购买请点击)

　　•专为数字预失真误差校正系统多尔蒂•优化应用

　　•磁带和卷轴。三后缀= 250单位每32毫米，13寸盘MRF8S9200NR3(购买请点击)。