<strong> 一、描述
这个TLC274CN放大器结合大范围的输入偏移电压等级较低的偏移电压漂移、高输入阻抗、低噪音、和速度接近通用BiFET的设备。这些设备使用德州仪器硅栅LinCMOSE技术提供补偿电压稳定性远超过了与传统的金属门稳定可用流程。
这个极其高输入阻抗、低偏见电流,和高杀了利率使这些具有成本效益的设备的应用程序的理想以前被预留给BiFET和吗场效应电晶体产品。四个偏移电压等级可用(c后缀和我后缀类型),范围从低成本的TLC274CN的高精度TLC279CN。这些优点,结合良好的共模抑制和电源电压抑制,使这些设备一个很好的选择新最先进的设计对升级现有的设计。
二、性能
1、55°C到125°C。。。4 V到16 V;
单电源工作;
共模输入电压范围;
2、展了低于负轨(c后缀和我后缀版本);
噪音低通常25 nV / /赫兹
3、f = 1 kHz;
输出电压范围包括负;
4、在磁带和卷中的任一种封闭免疫。
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