元器件交易网关于MRF6S20010GNR1相关英文资料详解

　　（MRF6S20010GNR1）射频功率场效应晶体管；

　　n沟道mosfet增强型横向；

　　专为A类或AB类通用应用程序；

　　从1600年到2200 MHz的频率。适合模拟和数字调制和多用途放大器应用程序。

　　•典型的深浅不一的性能@ 2170 MHz:VDD = 28伏特，容器=130年马英九；撅嘴= 10瓦PEP功率增益—15.5分贝排泄效率—36%，IMD—-34 dBc。

　　•典型2载波w - cdma性能:VDD = 28伏特,容器= 130毫安。

　　撅嘴= 1瓦特Avg全频段(2130 - 2170 MHz),通道，带宽= 3.84 MHz。PAR = 8.5 dB @ 0.01%概率；功率增益—15.5分贝，排泄效率—15%；IM3 @ 10 MHz抵消-47年在3.84 MHz—dBc通道带宽；ACPR @ 5 MHz抵消-49年在3.84 MHz—dBc通道带宽。

　　•典型的单载波n cdma性能:VDD = 28伏特,容器=130年马英九,撅嘴= 1瓦特Avg。,全频段(1930 MHz),是- 95(飞行员、同步、分页、交通代码8到13),通道带宽= 1.2288 MHz。PAR = 9.8 dB @ 0.01%概率CCDF上，功率增益—15.5分贝，排泄效率—16%，ACPR @ 885千赫抵消= -60 dBc在30千赫带宽。

　　•典型GSM边缘性能:VDD = 28伏特,容器= 130毫安,撅嘴=4瓦Avg。,全频段(1805 MHz)；功率增益—16 dB排泄效率—33%维生素—1.3% rms。

　　•能够处理5:1电压驻波比,@ 28伏直流电,2000 MHz,10瓦的连续波输出功率

<strong>　　特性

　　•具有系列等效大信号阻抗参数

　　•在内部匹配的易用性

　　•合格的上限为32个VDD操作

　　•集成ESD保护200°C

　　•塑料包能力

　　•RoHS兼容

　　•在磁带和卷。R1后缀= 500单位24毫米,13英寸盘。