<strong> 射频LDMOS宽带综合
功率放大器
IC915NR2_ic_369715_125277228.html">MHVIC915NR2宽带集成电路设计芯片上，匹配,就可以使用它从750年到1000 MHz。这多阶段结构是额定为26 - 28伏特操作，并涵盖所有典型的细胞基础车站调制格式。
最终应用程序
•典型的单载波n cdma性能:VDD = 27日伏特,IDQ1 =80年马英九,IDQ2 = 120毫安,撅嘴= 34 dBm,全频段(746960 MHz),是- 95 CDMA(飞行员、同步、分页、交通代码8到13)功率增益—31分贝权力添加效率—21%ACPR @ 750千赫抵消-50年在30千赫—dBc带宽。
驱动应用程序
•典型的单载波n cdma性能:VDD = 27日伏特,IDQ1 = 80妈妈,IDQ2 = 120毫安,撅嘴= 23 dBm,全频段(869 -894 MHz),是- 95 CDMA(飞行员、同步、分页、交通代码8到13),通道带宽= 1.2288 MHz。PAR = 9.8 dB @ 0.01%在CCDF概率。功率增益—31分贝权力添加效率—21%，ACPR @ 750千赫抵消-60年在30千赫—；dBc带宽ACPR @ 1.98 MHz抵消-66年在30千赫—dBc带宽
•典型的GSM性能:VDD = 26日伏特,撅嘴= 15 W P1dB，满频带(921 - 960 MHz)功率增益—@ P1dB 30分贝权力添加@ P1dB效率= 56%。
•能够处理3:1电压驻波比,@ 27 Vdc,880 MHz,15瓦连续波输出功率；
•具有系列等效大信号阻抗参数；
•芯片上的匹配(50欧姆输入,直流封锁,> 9欧姆输出)；
•综合静态电流温度补偿与；
启用/禁用功能
•芯片上的电流镜通用参考场效应晶体管自我偏压应用程序(1)；
•集成ESD保护；
•RoHS兼容；
•在磁带和卷。R2后缀= 1500单位/ 16毫米,13英寸盘。
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