<strong> 一、概括
W29C040P-90是一个4字节的、5伏特只有CMOS页面模式eepm组织为512 k´8位。该设备可以写(擦除和程序)在系统与标准的5 v电源供电。一个12伏VPP不是必需的。独特的细胞结构的W29C040导致快速写入(删除/程序)操作以极低的当前的消费水平相比其它可比5伏特闪存产品。该设备还可以写(擦除和程序)通过使用标准EPROM编程器。
二、特性
1、单5伏特写(擦除和程序)操作
2、典型页面写(删除/程序)周期:1 k、10 k)
3、十年的数据保留
4、软件和硬件数据保护
5、低功耗
有功电流:25硕士(下。)
待机电流:20马(下。)
6、自动编写(删除/程序)时机
7、内部VPP代
8、锁闭的地址和数据
9、所有的输入和输出直接TTL兼容
10、JEDEC标准字节插脚引线
11、可用包:TSOP和PLCC
三、功能描述
读模式
W29C040p-90操作的控制是通过CE和OE,其中有两家芯片是低的为主机获取数据的输出。CE用于设备的选择。当CE高,芯片是取消,只备用电源消耗。大江健三郎是输出的控制,是用来门数据从输出插口。数据总线是在高阻抗状态当要么CE或OE是高。参阅读周期时间波形为进一步的细节。
页写模式
W29C040p-90的写(擦除/程序)在一个页面上的基础。每一个页面包含256字节的数据。如果一个字节的数据页内的是改变,数据整个页面必须加载到设备。任何字节,没有加载,将被删除“FF十六进制”期间写操作的页面。写操作发起迫使CE和我们低和OE高。写程序包含两个步骤。第一步是字节负载周期中,主机写入到页面的缓冲区设备。
第二步是一个内部写(删除/程序)周期,在此期间的数据在页面的缓冲区同时写入内存阵列非易失性存储器。在字节负载周期,这些地址会被锁住的的下降沿要么CE或我们,不论发生去年。数据被锁住的前沿,要么CE或我们,无论哪个首先发生。如果主机载入一个页面的第二个字节缓冲区在一个字节负载周期时间(TBLC)200 mS后初始字节负载周期,W29C040将呆在页面加载循环。额外的字节然后可以连续加载。页面加载周期将终止,内部编写(删除/程序)周期将开始如果没有额外的字节加载到页面的缓冲。A8,那么指定页面的地址。所有字节缓冲区加载到页面必须具有相同的页面地址。
A0到A7指定字节地址在页面内。字节可以加载以任何顺序;顺序加载不是必需的。在内部写周期,所有数据在页面的缓冲区,比如说,256字节的数据,都写同时进入内存数组。典型的写(删除/程序)时间是5 mS。整个内存数组可以写在10.4秒。竣工之前内部写周期,主机是自由来执行其他任务,比如从其他地方获取数据的系统准备写下一页。
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