基本信息：晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:50A
饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
最大功耗:312W
电压, Vceo:1200V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-3P
上升时间:50ns
功率, Pd:312W
功耗:312W
封装类型:TO-3Pfga25n120
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:50A
电压, Vces:1200V
电流, Ic @ Vce饱和:25A
电流, Icm 脉冲:75A
表面安装器件:通孔安装fga25n120
版权所有