Vishay推出新的高压功率MOSFET器件

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出其下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n沟道器件具有低导通电阻、超低栅极电荷和3A～36A电流，采用多种封装。

　　今天发布的D系列MOSFET基于新的高压条带技术，使效率和功率密度达到新的水平。器件的条带设计加上更小的裸片尺寸和端接，使栅极电荷比前一代方案低50%，同时提高了开关速度，降低了导通电阻和输入电容。

　　400V、500V和600V器件的导通电阻分别为0.17Ω、0.13Ω和0.34Ω。超低的导通电阻意味着极低的传导和开关损耗，能够在服务器和通信电源系统、焊接、等离子切割、电池充电器、荧光灯、高强度放电(HID)照明、半导体设备和电磁加热的高功率、高性能开关电源应用中节约能源。

　　D系列MOSFET中的400V、500V和600V器件的栅极电荷分别为9nC、6nC和45nC，具有最佳的栅极电荷与导通电阻乘积，该值是用在功率转换应用中MOSFET的关键优值系数(FOM)，400V、500V和600V器件的FOM分别为7.65 Ω-nC、15.6 Ω-nC和12.3 Ω-nC。

　　新的D系列MOSFET采用简单的栅极驱动电路、非常耐用的本体二极管，易于设计到更紧凑、更轻、发热更少的终端产品中。器件符合RoHS指令，符合IEC 61249-2-21的无卤素规定，雪崩(UIS)定级让器件能够稳定可靠地工作。

　　器件规格表：

　　型号电压 (V)ID @ 25 ºC (A)RDS(ON) @ max 10 V (Ω)Qg 典型值 (nC)封装

　　SiHP6N40D40061.09TO-220

　　SiHF6N40D40061.09TO-220F

　　SiHP10N40D400100.5515TO-220

　　SiHF10N40D400100.5515TO-220F

　　SiHG25N40D400250.1744TO-247

　　SiHP25N40D400250.1744TO-220

　　SiHU3N50D50033.06IPAK/TO-251

　　SiHD3N50D50033.06DPAK/TO-252

　　SiHD5N50D50051.510DPAK/TO-252

　　SiHP5N50D50051.510TO-220

　　SiHF5N50D50051.510T-Max®

　　SiHU5N50D50051.510IPAK/TO-251

　　SiHP8N50D50080.8515TO-220

　　SiHF8N50D50080.8515TO-220F

　　SiHP14N50D*500140.4030TO-220

　　SiHG14N50D*500140.4030TO-247AC

　　SiHF18N50D*500180.2737TO-220F

　　SiHG460B/IRFP460B500200.2585TO-247AC

　　SiHG22N50D*500220.2352TO-247AC

　　SiHG32N50D*500320.1672TO-247AC

　　SiHS36N50D*500360.1392Super TO-247

　　SiHP17N60D600170.3445TO-220

　　SiHG17N60D600170.3445TO-247AC