IR发布了一系列HEXFET MOSFET硅技术的器件

　　国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列采用TSOP-6封装、搭载IR最新低压HEXFET MOSFET硅技术的器件，适用于电池保护与逆变器开关中的负载开关、充电和放电开关等低功率应用。

　　全新的功率MOSFET具备极低的导通电阻(RDS(on))，能够大幅降低传导损耗。新产品可以作为N及P通道配置里的20V或30V器件，最大栅极驱动从12Vgs到20Vgs不等。

　　IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“采用TSOP-6封装的IR全新功率MOSFET系列，与采用SOT-23和SO-8封装的现有器件相辅相成，为客户设计系统提供了更大的灵活性。这个平台拥有极低的导通电阻，因而这些新器件能够取代封装尺寸较大的MOSFET，有助于减少电路板面积和系统成本。”

　　所有新器件均达到第一级潮湿敏感度 (MSL1) 业界标准，并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)，不含铅、溴化物和卤素。

　　产品规格

　　器件编号

　　(- TRPbF)BVDSSVGS 最大值25ºC 时的最大Id典型/最大导通电阻(mΩ)

　　10V4.5V2.5V

　　IRFTS9342-30V20V5.9A31/3953/66NA

　　IRLTS2242-20V12V6.9AN/A26/3245/55

　　IRLTS634230V12V7.8A12/2015/24

　　IRFTS834230V20V8.2A15/1922/29N/A

　　新器件正接受批量订单。