该AD587代表了state-of-the-art重大进展单片电压基准.采用独有的离子注入埋齐纳二极管和激光稳定性高晶圆微调薄膜电阻器，提供了出色的表现AD587成本低.
该AD587提供远远高于大多数其他性能10 V引用.由于AD587 uses行业标准接脚分布，许多系统可以升级即刻与AD587.被埋葬的稳压方法参考设计提供更低噪声和漂移比频带差距电压基准.该AD587降噪提供了一个引脚，可用于进一步减少所产生的噪音水平埋齐纳.
该AD587推荐用于作为参考8-, 10-, 12-,14-,或16-bit DACs需要一个外部精密参考.
该设备还可以逐次逼近或integrat理想选择，ing高达ADCs以14准确bits和一般，可提供优于标准的片上参考的性能.
该AD587J, AD587K,和AD587L规定工作从0°C到70°C,和AD587U是–55°C到指定+125°C操作.所有等级都可以在8-lead CERDIP.
该J和K版本也可在一个8-lead SOIC 包装用于表面贴装应用，而J, K,和档次也L进来一8-lead PDIP
AD587JR特征
激光修整，以高精度：10.000 V 5 mV (L和U职系)
边温度系数：5 ppm/ C 最大 (L和U职系)
降噪能力
低静态电流：4 mA 最大
输出调整功能
MIL-STD-883可用的标准版本
AD587JR绝对最大额定值
+V IN 对地. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36 V
功率消耗(25°C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500 mW
贮藏温度. . . . . . . . . . . . . . . . . . –65°C到+150°C
焊接温度(焊接，10秒). . . . . . . . . . . . . 300°C
包装热阻
JC .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . 22°C/W
JA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110°C/W
AD587JR操作原理
输出保护：输出安全的不确定，短到地面和瞬间短+V埋在AD587由齐纳二极管参考一专有ence,缓冲放大器的输出，和几个高稳定性薄膜电阻所示的框图如图1.在高精密这种设计的结果输出单片10 V与初始参考抵消5 mV或更少.温度补偿电路，提供了一个温度的装置系数根据5 ppm/°C.一个电容器可以加在降噪针(引脚8)形成一个低通滤波器与RS以减少噪音齐纳的贡献电路.
动态性能
输出缓冲strong的设计提供AD587静态和动态负载调节优于不完整引用.
目前，许多ADCs和DACs的电流负载瞬变参考，借鉴和不良反应可以降低转换器的性能.
数字6b和6c显示该AD587输出的特点放大器驱动一个0 mA到10 mA负荷.
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