赛普拉斯半导体公司日前宣布推出具有32位总线宽度的128Mb、64 Mb和32 Mb MoBL(更长电池使用寿命)异步SRAM。这些器件的推出进一步丰富了赛普拉斯业界领先的SRAM产品系列(包括高性能同步、异步和微功耗器件)。这些全新MoBL SRAM与32位DSP、FPGA和处理器配合使用可显著提升系统性能,从而充分满足电信、计算机、外设、消费类产品、医疗、军事等领域的应用需求。
赛普拉斯堪称低功耗SRAM领域的业界领先公司,提供了广泛的SRAM产品系列(从 4 Kb到 128 Mb)。全新128Mb (CY62192ESL)、64 Mb(CY62182ESL)和32Mb(CY62172ESL)MoBL器件均可提供32位I/O配置,存取时间(TAA)为55纳秒,并支持宽泛的电压(1.7V~5.5V)。上述低功耗异步SRAM采用赛普拉斯高性能90纳米R95 CMOS技术制造而成,并采用14.0x22.0x2.4 毫米、符合RoHS标准的119BGA封装。
赛普拉斯异步存储事业部高级总监Sunil Thamaran指出:“如果应用需要在SRAM和控制器之间传输大量数据,包括图像、音频、视频和游戏应用等,那么吞吐量就是一个重要的性能指标。赛普拉斯推出全新32位SRAM器件,突显了其始终致力于满足该市场领域的高性能需求。此外,我们也已经开始开发采用65纳米技术的新一代高性能异步存储器产品,其将进一步降低功耗,并新增包括ECC在内的高级功能。”
供货情况
CY62192ESL 128Mb、CY62182ESL 64Mb和CY62172ESL 32Mb低功耗异步SRAM样片现已开始向主要客户限量供应,并正在进行全面的质量验证。