美国应用材料上市了支持22nm以后工艺的掩模用蚀刻装置“CenturaTetraX”。扩展了现有蚀刻装置“TetraIII”的功能，并将关键层加工尺寸的均一性（CDU）提高到了2nm。
据应用材料介绍，如果使用该装置，可实现二次图形（DP）技术及SMO（source-maskoptimization）技术中尤其需要的、不依存于图形尺寸及图形密度的均匀蚀刻。另外，此次的装置可配备该公司独立开发的工艺实时监控等功能。使用实时监控功能后，能够精密控制硬掩模、MoSi及石英的蚀刻过程，能以较高的精度制造二元掩模及移相掩模。另外，应用材料还表示，此次的装置已在22nm掩模制造工序上使用，其性能已评测完毕。
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