FDMS7650为功率设计提供卓越优势

　　飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）为服务器、刀片式服务器和路由器的设计人员带来业界首款RDS（ON） 低于1mOhm的30V MOSFET器件，采用Power 56封装，型号为FDMS7650。FDMS7650可以用作负载开关或ORing FET，为服务器中心（server farm）在许多电源并行安排的情况下提供分担负载功能。FET的连续导通特性，可降低功耗和提高效率，以提升服务器中心的总体效率。FDMS7650是首款采用Power56封装以突破1mOhm障碍的MOSFET器件，最大RDS（ON）仅为0.99mOhm，能够减少传导损耗，提高应用的总体效率。例如，与一个使用2.0mOhm MOSFET的典型应用相比，这款30V MOSFET便能够以一半的FET数目，提供相同的总体RDS（ON）。

　　FDMS7650采用飞兆半导体性能先进的PowerTrench® MOSFET技术，提供具突破性的RDS（ON）。这项技术拥有出色的低RDS（ON）、总体栅极电荷（QG）和米勒电荷（QGD），能最大限度地减少传导和开关损耗，从而带来更高的效率。

　　这款功率MOSFET器件是飞兆半导体众多MOSFET器件之一，为功率设计提供了卓越的优势。这个系列的其它出色产品还有飞兆半导体的30V双N沟道MOSFET器件FDMC8200和FDMS9600，FDMC8200通常具有24mOhm的高侧RDS（ON），以及9.5mOhm的低侧RDS（ON），有效提高了DC-DC应用的效率。FDMS9600则通过降低高侧MOSFET的开关损耗，以及低侧MOSFET的传导损耗，为同步降压应用提供最佳的功率级。

　　价格（订购1000个，每个）：0.95美元

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