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FM25V10-G具有2.0V至3.6V宽工作电压范围

  世界顶尖的低功率铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发及供应商Ramtron International Corporation宣布其1兆位(Mb)、2.0V-3.6V串行F-RAM存储器Ramtron25V10-G,业已通过AEC-Q100 Grade 3标准认证,这一严格的汽车等级认证,是汽车电子设备委员会(Automotive Electronic Council)针对集成电路而制定的应力测试认证。目前SPI公司符合AEC-Q100标准的存储器产品已增加至15种,这些产品都经专门设计以满足汽车市场的严苛要求。通过Grade-3认证确保器件能够在-40℃到+80℃的汽车使用温度范围内正常工作。

  FM25V10-G是Ramtron公司V系列非易失性F-RAM存储器的成员,具有2.0V至3.6V的宽工作电压范围。它是1兆位串行IC器件,工作电流为3.0mA(40MHz下的Idd),采用工业标准8脚SOFM封装。FM25V10-G在40MHz全总线速率下工作,具有无延迟(NoDelay™)写入功能、几乎无限的耐用性和低功耗等特点。该器件是汽车、工业控制、计量、医疗、军事、游戏以及计算等应用中,1兆位串行闪存和串行EEPROM存储器的理想普适型(drop-in)替代产品。

  Ramtron公司V系列F-RAM产品包括多种串行I2C存储器、串行SPI存储器和并行存储器。V系列产品能够实现更好的技术规格和更多的功能集。串行V系列产品备有可选的独特的64位序列号,由一个16位客户ID、一个40位制造序列号,以及需要独特的电子编号的8位循环冗余码系统校验所组成,提供了更高的安全性。

  Ramtron现提供符合RoHS标准的8脚SOIC封装FM25V10-G器件,订购1万片FM25V10-G或具有独特序列号器件(FM25VN10-G),起价分别为每片5.05美元和5.19美元。

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