日本DRAM大厂尔必达宣布已经研发出40nm 2Gb移动（Mobile RAM）内存颗粒。该颗粒大小不到50平方毫米，号称目前能够使用40nm工艺实现量产的最小颗粒。该2Gb移动内存颗粒基于40nm CMOS工艺，支持x16-bit、x32-bit位宽，采用60/90-ball FBGA或PoP式FBGA封装。除JEDEC标准的1.8V电压外，该颗粒还可支持1.2V的低电压工作，数据传输率400Mbps，工作温度-25到85度。
尔必达称，新40nm颗粒在使用了尔必达独家设计工艺以及对电路、整体设计的优化后，功耗相比之前50nm颗粒降低30%。一颗40nm 2Gb移动颗粒的功耗比两颗1Gb颗粒功耗一半还少。而且在不改变颗粒封装空间的前提下，新颗粒密度提高两倍，适用于智能手机、平板机等其它手持设备。
据悉尔必达将在2010年六月份出货样品颗粒，7月份就有可能实现量产，尔必达广岛工厂将负责新颗粒的生产。
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