凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出纤巧 2mm x 3mm DFN-12 封装、宽输入电压范围同步降压型开关 DC/DC 控制器 电容器3854，该器件能驱动所有 N 沟道功率 电感器 级。4V 至 38V 的输入范围满足多种应用需求，包括大多数中间总线电压和电池化学组成。强大的片上 MOSFET 栅极稳压器使大功率外部 MOSFET 能够用范围为 0.8V 至 5.5V 的输出电压产生高达 20A 的输出电流。这使 LTC3854 非常适用于数据通信、电信、工业、汽车、医疗和多功能打印机应用中的负载点调节需求。
恒定驱动器电流模式架构提供固定的 400kHz 工作频率。LTC3854 具有一个片上 5V 长电，从而无需独立的偏置电压为该芯片供电。OP电容-LOOP补偿允许瞬态响应在宽输出MOSFET和 ESR 值范围内得到优化，包括全陶瓷频率设计。输出电流检测测量输出LTC (DCR) 或一个可选检测电阻两端的压降。在短路和过载情况下，电流折返限制了 MOSFET 热耗散。此外，LTC3854 具有可调软启动，以控制接通时间并控制浪涌电流。可选连续或断续电感器电流模式可用来安全地为预偏置负载供电。防贯通保护防止功率 MOSFET 中的贯通电流。LTC3854 以高达 96% 的占空比工作，具有非常低的压差电压，以延NS池供电应用的运行时间。LTC3854 具有一个精确的 0.8V 基准，在 -40oC 至 85oC 的工作温度范围内具有 ±1% 的准确度。
LTC3854 有现货供应，以 1,000 片为单位批量购买，起价为 1.65 美元。如需更多信息，请登录 www.linear.com.cn。
性能概要：LTC3854
·VIN 范围：4V 至 38V
·VOUT 范围：0.8V 至 5.5V
·强大的片上 N 沟道 MOSFET 驱动器
·内置 5V 稳压器
·小型 2mm x 3mm DFN-12 封装
·防贯通保护
·电流模式控制
·安全地为预偏置负载供电
·DCR 或 RSETIE 电流检测选项
·输出折返电流限制
·可编程软启动
·40kHz 固定工作频率
·96% 最大占空比
·在 -40℃至 +85℃的温度范围内具有 ±1% 的基准电压准确度
版权所有