新材料利用离子束进行高密度磁性存储

    为了提高电脑磁盘的存储密度，研究人员开始重新考虑磁性数据存储的概念。尽管过去技术研究的热点都集中在优化存储材料上，由西班牙和德国的科研人员组成的团队已经开始尝试不同的方法，通过提高磁性量级来提高存储密度。

    这些研究人员来自于德国Rossendorf研究中心、西班牙巴塞罗那自治大学以及其他瑞士及美国的研究机构，成功地利用高度集中的离子束在材料表面了产生出非常小的磁区。

    Rossendorf研究中心的Juergen Fassbender解释道，这种辐射域显现出磁场特性，由于所用的离子束可以高度集中，这种方法可以产生5至10纳米的微小磁场。

    相比之下，当前的固定硬盘通常使用了镀有钴铬铂的玻璃盘片。研究人员在实验中使用了一种FeAl金属合金。如果这种方法被工业生产工艺所采用，材料都需要进行这样的盘片处理，不过这尚不是目前试验的主题。相反，研究人员对这种现象背后的理论证明更感兴趣。

    该结果表明，如果工业工艺中成功的采用了这种技术，制造商可以提高磁性密度数十倍。另外，信号噪声比也将随之变强。信号噪声比在过去的磁性存储中由于磁性粒子紧缩而受到一定程度的恶化。Fassbender表示，这种情况不会在合金的方法中出现。

    不过，在实现工业化应用的过程中还会有一些挑战。最大的挑战是研究人员在实验中在材料表面采用串行的“打点”串行磁性写入，但这不适用于大规模生产。一种解决办法是通过模具进行并写写入，这类似于当前芯片生产的光刻工艺。目前的光刻工艺允许写入结构的范围大约为30纳米，所以仍有很大空间以供新方法来提高磁性存储设备的密度。