据集邦科技(DRAMeXchange)发布资料，自今年九月以来，力晶、尔必达(Elipda)、海力士(Hynix)与茂德等内存厂商均宣布减产，南亚科与华亚也于日前表示正式宣布加入减产的行列，预计此波DRAM减产将占全球产能12-13%。
南亚科除了与美光合作的亚美与Fab3Phase2扩厂计划暂缓外，原有的Fab3Phase1也因应转换至美光(Micron)堆栈制程的关系，到明年第一季投片量也将从3万减少至15,000片，而华亚方面也从十月开始减产20%，产能从原有13万片修正至10万4千片。
上上周(10/21-10/27)DDR21GbeTT的价格由1.05美元下跌至1.01美元，整体跌幅约3.8%，DDR26671Gb由1.06美元下跌至0.99美元，跌幅6.6%左右，DDR26671GbeTT与原厂颗粒价格双双直逼1美元的历史新低价，更远低于集邦科技所预计的现金成本1.3-1.5美元。
随着DRAM颗粒价格不断探底，减产的目的也从价格回升转为让握有更多现金的厂商以求生存，以往DRAM厂商靠着制程转换来降低成本并提升竞争力的路在现阶段也已不可行。
集邦统计，6X纳米制程约落在1.9美元，而即使到了5X纳米制程，成本也需1.4美元左右，以目前的DRAM颗粒价格落在1美元来看，切入5X纳米不光无法获利，更需投入更多的资本来投资设备来转换制程；除此之外，5X纳米制程也比6X纳米制程多出30%-40%的颗粒数，更让供过于求的市场再次蒙上阴影，价格回复之路更加艰辛。
集邦分析师指出，虽然切入先进制程可以降低成本拉开竞争对手的距离，但持续的减产更有其必要性，从市场面来看需求减缓下短期仍需减产30%，长期来看也需减产20%，才是DRAM产业的自救之道。
新闻出处：国际电子商情
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