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良率提高 众DRAM内存厂商纷入“70纳米时代”

    日前,众DRAM内存厂商纷纷买入70纳米制造工艺。奇梦达(Qimonda)正式对外宣布,将于2006年底前导入75纳米工艺,并计划于德国12英寸厂试产,而身为其重要合作伙伴的华亚科也对外表示,与奇梦达最新工艺制造技术将会同步。据了解,到8月底前华亚科将全部改采用90纳米工艺来生产DRAM。

    而茂德目前已大量采用90纳米工艺投产,由于先前茂德具有12英寸厂经验,再加上90纳米工艺良率相当不错,因此也将快速导入海力士(Hynix)的70纳米工艺技术,据了解,茂德将于9月导入70工艺制程,估计到60纳米工艺将与海力士共同研发,彻底摆脱过去仅单纯技术授权,预期2008年左右会正式导入试产。

    日系DRAM厂尔必达(Elpida)与其重要代工伙伴力晶半导体,对于70纳米制程进入也同样积极以赴,据了解,力晶已确定在2007年下半导入70纳米制程试产,至于尔必达目前虽还在开发70纳米制程技术,不过也将于2007年上半导入生产,双方在制程技术上也不排除朝共同开发方向迈进。
 

 

(源自:国际电子商情)

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