德国英飞凌科技与新加坡特许微处理器(Chartered)之间的65纳米芯片代工合作已初见成效。通过与IBM、特许和三星等研发伙伴进行65纳米/45纳米开发联盟的合作，英飞凌科技(半导体)日前宣布推出其首款采用65纳米工艺生产的逻辑Infineon样品。
与此同时，英飞凌通过代工厂商生产65纳米芯片，向成为“轻晶圆厂”(fab-lite)类型的芯片公司迈出了第一步。上述逻辑芯片样品用于测试英飞凌的65纳米生产工艺，它包含一个基于ARM9的IC和一个DSP内核，这两项是手机基带芯片的重要元件。此外，该芯片包含几个数字单元库和宏，以及SRAM、ROM、RF和混合信号电路。
首批样品计划于本季度推出，批量生产计划于2006年第四季度开始。英飞凌副总裁及65纳米平台整体项目负责人Heinz Schuetzeneder表示，65纳米技术将用于生产低价手机芯片组，并在同一块裸片上集成RF和数字电路。
测试芯片最初在IBM位于纽约East Fishkill的工厂生产，随后在特许半导体位于新加坡的晶圆厂进行复制。“虽然两家工厂的设备略有不同，但它们所生产出来的样品初步显示出了相当的结果。”Schuetzeneder表示，“因此，我们能够同时在两家工厂进行量产。”
Schuetzeneder强调指出，与许多半导体专家的预言形成对比的是，65纳米工艺的漏电流与速度之比并不逊色于90纳米工艺。
“现有的数据表明了我们联盟战略的诸多优势，包括通过集中优良研发资源和利用大量的知识资产所带来的更短开发周期、更丰富的特性和更大的制造灵活性等。”英飞凌管理委员会成员兼通信解决方案业务部总裁Hermann Eul博士指出。
据介绍，一种基于ARM9的子系统、一种主要的手机元件、一系列数字信元库和众多SRAM、ROM、RF和模拟/混合信号处理功能已经通过了验证。ARM9 CPU内核、一种DSP和其他所有宏指令和类库组件的功能性，已在East Fishkill工厂得到ICIS联盟开发的硅半导体的证明，同时得到了制造伙伴Chartered的检验。采用65纳米制造的第一款手机芯片最近下线，样品将于今年第一季度推出，量产将于第四季度开始。
英飞凌启动一个名为“一条龙技术引进”(Smart Technology Access)的计划，向客户提供交钥匙解决方案，包括针对特定应用的技术优化、能够融合客户或第三方知识产权的设计系统基础设施、硅验证射频设计、模拟/混合信号处理、SRAM和ROM宏指令、面向特定应用的类库、设计和硅原型设计服务，直到和制造伙伴Chartered合作实现量产。
“英飞凌决心快速演进至65纳米制造工艺，从而最好地平衡成熟的193纳米光刻技术的制造成本优势和65纳米低功耗工艺的设计成本效益。另一方面，这种工艺能够带来最佳性能/功耗比，包括最适宜的射频参数。”Hermann Eul说，“将来，65纳米工艺将是英飞凌通信产品部的主要工艺，它将进一步巩固英飞凌在基带和射频CMOS单片集成领域的领先地位，在取得更大竞争优势的同时，还能让我们形成适合各种微处理器和ASIC解决方案的批量生产能力。”
（源自：国际电子商情）
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