东芝增资闪存业务 欲占全球4成市场挑战三星

    日前东芝宣布调高2005会计年度(2005年4月~2006年3月)半导体支出预算至19.6亿美元，新增的4.88亿美元支出将用于扩充闪存产能。

　　目前东芝位于三重县四日市的NAND型闪存工厂已经满负荷运转，本次增资款项的大部分将用于该厂的扩建，东芝的发言人表示，扩建后预计到2006年时该厂产能将达到4.87万片。

　　几乎与此同时，东芝还与闪存战略合作伙伴sandisk宣布将联手收购Matrix Semiconductor公司，Matrix所采用的3D设计可以有效增加闪存的储密度。

　　东芝预计在调整后将占全球NAND型闪存市场40%的市场份额，市场分析人士认为东芝将在NAND型闪存市场向三星霸主地位发起挑战。

　　对东芝的挑战，三星电子表示根据原有规划，2005年至2007年之间半导体支出预算约为330亿美元，同时2005年第四季度仍有约7.77亿美元的半导体支出预算余额。此外，三星电子正在扩大NAND型闪存在半导体产能中的比重，并将开发50奈米制程，以继续保持对东芝与海力士的优势。

　　根据iSuppli的调查报告显示2005年第二季全球前3大NAND型闪存供应商，三星、東芝、海力士在全球市场的占有率分别55%、23.3%、10%。

（源自：天极网）