东芝投产32位微控制器芯片 内置闪存容量16Mbit业界最大！

    东芝开始投产集成16Mbit（2MB）闪存的32位微控制器，内置闪存容量为16Mbit，在通用产品中为业界最大。该产品将与容量为12Mbit（1.5MB）的掩膜ROM内置型产品一起，于2006年6月以50万个/月的规模投入量产。设想的用途为数码摄像机等便携产品。

<电源RONG>    “NAND＋NOR”构造，耗电量实现与掩膜ROM内置型产品相同的程度

    内置的16Mbit闪存采用了混载闪存技术“NANO FLASH”。该技术采用了在单元结构中采用NAND型闪存，在阵列结构中采用NOR型闪存的方式，可以说是二者的折衷技术。同时具备了NAND型的低耗电特性和NAR型的高速访问特性。过去对混载NOR型闪存的内部读取线需要升压，新产品则不需要该操作。与现有的混载闪存相比，可降低耗电量，缩短写入时间。

    此次的产品在内部频率电压为5V条件下将耗电电流控制到了60mA（工作ST为54MHz，工作温度为＋25℃时），“与掩膜ROM内置型产品相同”（东芝）。该公司在2005年3月投产的32位微控制器的内置闪存中首次采用了“NANO FLASH”技术。当时的闪存容量为4Mbit（512KB），而且当时就宣布要进行16Mbit产品的开发。应用于新产品的工艺技术和4Mbit产品同为180nm工艺。

    芯片采用281引脚、引脚间隔为0.65mm的FBGA封装。外形尺寸为13mm×13mm，厚度为1.4mm。定于2006年4月供应样品，价格方面，闪存内置型产品为3000日元，掩膜内置型产品为2000日元。

    东芝将在2005年10月4～8日于日本千叶县幕张Messe会展中心举办的“CEATEC JAPAN 2005”上展出该产品。

 （源自：日经BP网）